多項(xiàng)選擇題關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，下列說法正確的是（）。

A.正膠在顯影時(shí)不會發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠
B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解
C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會發(fā)生膨脹，因此分辨率不會降低
D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)易溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)難溶解
E.負(fù)膠在顯影時(shí)會發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時(shí)的特點(diǎn)，下列說法正確的是（）。

A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解
B.正膠的感光區(qū)域溶解
C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解
D.正膠的感光區(qū)域不溶解
E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解

2.多項(xiàng)選擇題光刻膠主要由（）等不同材料混合而成的。

A.樹脂
B.感光劑
C.HMDS
D.溶劑
E.PMMA

3.單項(xiàng)選擇題用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。

A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠

4.單項(xiàng)選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。

A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠

5.多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。

A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷