單項(xiàng)選擇題用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
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1.單項(xiàng)選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。
A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
2.多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。
A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
3.單項(xiàng)選擇題在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
4.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
5.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在900～1050℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
最新試題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}