多項選擇題關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時的特點,下列說法正確的是()。
A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解
B.正膠的感光區(qū)域溶解
C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解
D.正膠的感光區(qū)域不溶解
E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解
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1.多項選擇題光刻膠主要由()等不同材料混合而成的。
A.樹脂
B.感光劑
C.HMDS
D.溶劑
E.PMMA
2.單項選擇題用g線和i線進(jìn)行曝光時通常使用哪種光刻膠()。
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
3.單項選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是()。
A.涂膠、前烘、曝光、堅膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、去膠
4.多項選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有()。
A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
5.單項選擇題在集成電路工藝中,光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是()。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
最新試題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點,又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
題型:單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是()
題型:多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時,可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時的溫度一般設(shè)置在()
題型:單項選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
題型:多項選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
題型:多項選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時,一般使用()。
題型:單項選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項選擇題
根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。
題型:多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:單項選擇題