多項(xiàng)選擇題光刻膠主要由（）等不同材料混合而成的。
A.樹脂
B.感光劑
C.HMDS
D.溶劑
E.PMMA
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1.單項(xiàng)選擇題用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
2.單項(xiàng)選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。
A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
3.多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。
A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
4.單項(xiàng)選擇題在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
5.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
最新試題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項(xiàng)選擇題