A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
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A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻
A.4~6h
B.50min~2h
C.10~40min
D.5~10min
A.4~6h
B.50min~2h
C.10~40min
D.5~10min
A.600~750℃
B.900~1050℃
C.1100~1250℃
D.950~1100℃
最新試題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
在顯影過(guò)程中,對(duì)于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設(shè)定于()。
根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類(lèi)分為()。
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
()可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上,那么i線的UV光波長(zhǎng)為()