單項(xiàng)選擇題光刻的主要工藝流程按照操作順序是()。

A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠
B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠
C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠
D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠


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1.多項(xiàng)選擇題超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有()。

A.高分辨率
B.高靈敏度
C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)
D.大尺寸
E.低缺陷

5.單項(xiàng)選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中,磷的擴(kuò)散溫度為()。

A.600~750℃
B.900~1050℃
C.1100~1250℃
D.950~1100℃