單項(xiàng)選擇題在將清洗完的硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐擴(kuò)散時(shí),需要將硅片先裝入(),然后再裝入擴(kuò)散爐。
A.耐熱陶瓷器皿
B.金屬器皿
C.石英舟
D.玻璃器皿
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1.單項(xiàng)選擇題通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步驟,其中第一個(gè)步驟是()。
A.再分布
B.等表面濃度擴(kuò)散
C.預(yù)淀積
D.等總摻雜劑量擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素:()。
A.Na
B.B
C.P
D.As
3.單項(xiàng)選擇題He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的擴(kuò)散率大于10-13cm2/s,這些元素稱為()。
A.活躍雜質(zhì)
B.快速擴(kuò)散雜質(zhì)
C.有害雜質(zhì)
D.擴(kuò)散雜質(zhì)
4.單項(xiàng)選擇題如果磷在二氧化硅中擴(kuò)散,對(duì)擴(kuò)散率影響最大的因素是:()。
A.擴(kuò)散劑總量
B.壓強(qiáng)
C.溫度
D.濃度
5.單項(xiàng)選擇題用電容-電壓技術(shù)來測(cè)量擴(kuò)散剖面分布是用了()的原理。
A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫侖定律
D.四探針技術(shù)
最新試題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中,對(duì)刻蝕的要求是()
題型:多項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感,但對(duì)()光不敏感。
題型:單項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
題型:多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是()
題型:多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項(xiàng)選擇題
在顯影過程中,對(duì)于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
題型:單項(xiàng)選擇題