單項(xiàng)選擇題He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的擴(kuò)散率大于10－13cm2/s，這些元素稱為（）。
A.活躍雜質(zhì)
B.快速擴(kuò)散雜質(zhì)
C.有害雜質(zhì)
D.擴(kuò)散雜質(zhì)
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1.單項(xiàng)選擇題如果磷在二氧化硅中擴(kuò)散，對(duì)擴(kuò)散率影響最大的因素是：（）。
A.擴(kuò)散劑總量
B.壓強(qiáng)
C.溫度
D.濃度
2.單項(xiàng)選擇題用電容－電壓技術(shù)來(lái)測(cè)量擴(kuò)散剖面分布是用了（）的原理。
A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫(kù)侖定律
D.四探針技術(shù)
3.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測(cè)量可以用（）測(cè)量。
A.SIMS技術(shù)
B.擴(kuò)展電阻技術(shù)
C.微分電導(dǎo)率技術(shù)
D.四探針技術(shù)
4.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的測(cè)結(jié)深實(shí)驗(yàn)中，結(jié)深的測(cè)量是采用HF和（）的混和液對(duì)磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。
A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3
5.單項(xiàng)選擇題我們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和（）測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。
A.橫向電阻
B.平均電阻率
C.薄層電阻
D.擴(kuò)展電阻
最新試題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題