單項(xiàng)選擇題如果磷在二氧化硅中擴(kuò)散,對擴(kuò)散率影響最大的因素是:()。

A.擴(kuò)散劑總量
B.壓強(qiáng)
C.溫度
D.濃度


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1.單項(xiàng)選擇題用電容-電壓技術(shù)來測量擴(kuò)散剖面分布是用了()的原理。

A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫侖定律
D.四探針技術(shù)

2.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中,擴(kuò)散層電阻的測量可以用()測量。

A.SIMS技術(shù)
B.擴(kuò)展電阻技術(shù)
C.微分電導(dǎo)率技術(shù)
D.四探針技術(shù)

4.單項(xiàng)選擇題我們可以通過簡單的結(jié)深測量和()測量來獲得擴(kuò)散層的重要信息。

A.橫向電阻
B.平均電阻率
C.薄層電阻
D.擴(kuò)展電阻

5.單項(xiàng)選擇題恒定表面濃度的條件下,在整個擴(kuò)散期間,()保持恒定表面濃度。

A.源蒸氣
B.雜質(zhì)和惰性氣體混合物
C.水蒸氣和雜志混合物
D.雜質(zhì)、惰性氣體、水蒸氣混合物