單項(xiàng)選擇題用電容－電壓技術(shù)來(lái)測(cè)量擴(kuò)散剖面分布是用了（）的原理。
A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫(kù)侖定律
D.四探針技術(shù)
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1.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測(cè)量可以用（）測(cè)量。
A.SIMS技術(shù)
B.擴(kuò)展電阻技術(shù)
C.微分電導(dǎo)率技術(shù)
D.四探針技術(shù)
2.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的測(cè)結(jié)深實(shí)驗(yàn)中，結(jié)深的測(cè)量是采用HF和（）的混和液對(duì)磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。
A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3
3.單項(xiàng)選擇題我們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和（）測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。
A.橫向電阻
B.平均電阻率
C.薄層電阻
D.擴(kuò)展電阻
4.單項(xiàng)選擇題恒定表面濃度的條件下，在整個(gè)擴(kuò)散期間，（）保持恒定表面濃度。
A.源蒸氣
B.雜質(zhì)和惰性氣體混合物
C.水蒸氣和雜志混合物
D.雜質(zhì)、惰性氣體、水蒸氣混合物
5.單項(xiàng)選擇題一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和（）。
A.恒定總摻雜劑量
B.不恒定總摻雜劑量
C.恒定雜志濃度
D.不恒定雜志濃度
最新試題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題