單項(xiàng)選擇題通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步驟，其中第一個(gè)步驟是（）。

A.再分布
B.等表面濃度擴(kuò)散
C.預(yù)淀積
D.等總摻雜劑量擴(kuò)散


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1.單項(xiàng)選擇題下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：（）。

A.Na
B.B
C.P
D.As

2.單項(xiàng)選擇題He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的擴(kuò)散率大于10－13cm2/s，這些元素稱為（）。

A.活躍雜質(zhì)
B.快速擴(kuò)散雜質(zhì)
C.有害雜質(zhì)
D.擴(kuò)散雜質(zhì)

3.單項(xiàng)選擇題如果磷在二氧化硅中擴(kuò)散，對擴(kuò)散率影響最大的因素是：（）。

A.擴(kuò)散劑總量
B.壓強(qiáng)
C.溫度
D.濃度

4.單項(xiàng)選擇題用電容－電壓技術(shù)來測量擴(kuò)散剖面分布是用了（）的原理。

A.pn結(jié)理論
B.歐姆定律
C.庫侖定律
D.四探針技術(shù)

5.單項(xiàng)選擇題在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測量可以用（）測量。

A.SIMS技術(shù)
B.擴(kuò)展電阻技術(shù)
C.微分電導(dǎo)率技術(shù)
D.四探針技術(shù)