問(wèn)答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？?jī)煞N阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
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2.問(wèn)答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
5.問(wèn)答題說(shuō)明影響氧化速率的因素。
最新試題
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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什么是結(jié)深？
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。
題型：?jiǎn)柎痤}
刻蝕工藝有哪兩種類型？簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}