敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？