集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.05.03)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題超高頻Si雙極型晶體管的截止頻率fT已達(dá)多少？

40GHz

2.問答題集成電路中，有源器件是指哪些種類的晶體管？

BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT

3.問答題具體描述CMOS集成電路的工藝流程是怎樣的？

參考答案：襯底；P阱的制作；場(chǎng)氧氧化、確定有源區(qū)；生長(zhǎng)多晶硅柵；形成PMOS的源、漏區(qū)；形成NMOS的源、漏區(qū)；生長(zhǎng)PSG；制作電...

4.問答題MOS管尺寸縮小對(duì)器件性能有哪些影響？

參考答案：減小L和tox提高M(jìn)OSFET的電流控制能力，減小W將減小輸出功率和電流控制能力，同時(shí)減小Ltox和W將保持Ids不變和...

5.問答題為什么同一芯片上的集成元件可以達(dá)到比較高的匹配精度？

由于芯片面積很小且經(jīng)歷的加工條件幾乎相同

6.問答題氧化的目的是什么？

利用硅獨(dú)有的特性制造薄到幾十埃（只有幾個(gè)原子層）的柵氧化層

7.問答題一個(gè)完整的全定制設(shè)計(jì)環(huán)境包含哪些部分？

設(shè)計(jì)資料庫、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設(shè)計(jì)工具、版圖驗(yàn)證工具

8.問答題什么是MOS管的體效應(yīng)？

襯底接地，但是源極未接地，將而影響Vt值

9.問答題什么是離子注入損傷？

離子注入損傷，是指獲得很大動(dòng)能的離子直接進(jìn)入半導(dǎo)體中造成的一些晶格缺陷。

10.問答題高電子遷移率晶體管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。