<abbr id="9s9up"></abbr>

<abbr id="9s9up"><strike id="9s9up"><thead id="9s9up"></thead></strike></abbr>

<kbd id="9s9up"></kbd>

網站首頁考試題庫熱門試題智能家居網課試題

大學試題

題庫首頁每日一練章節(jié)練習

集成電路技術綜合練習問答題每日一練(2020.05.05)

來源：考試資料網

1.問答題什么是器件的亞閾值特性，對器件有什么影響？

參考答案：器件的亞閾值特性是指在分析MOSFET時，當Vgs

點擊查看完整答案

2.問答題MOS管的主要噪聲是什么？分別是如何產生的？如何減?。?/a>

參考答案：熱噪聲、閃爍噪聲；
熱噪聲是由溝道內載流子的無規(guī)則熱運動造成，閃爍噪聲由溝道處SiO2與Si界面上電子的充放電...

點擊查看完整答案

3.問答題PN結隔離SBC結構工藝流程是什么？

參考答案：

襯底材料制備；埋層的形成；N型外延層的形成；隔離區(qū)的形成；晶體管基區(qū)的形成；晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成；金屬化的形成。

4.問答題目前主流集成電路設計特征尺寸已經達到多少？預計2016年能實現(xiàn)量產的特征尺寸是多少？

參考答案：

主流0.18um22nm

5.問答題為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調制效應）？

參考答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內電場強度增加，電流隨之增大，...

點擊查看完整答案