刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）