單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
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1.單項(xiàng)選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
2.多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
3.單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
4.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
5.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中，溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括（）。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
最新試題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題