刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）