注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。