下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

芯片粘接的工藝過程包括（）。