1、晶圓進入 2、溫度急升 3、溫度趨穩(wěn) 4、退火 5、晶圓冷卻 6、晶圓退出
1、時間與溫度,恒定表面源主要是時間。 2、硅晶體中存在其他類型的點缺陷
最新試題
光刻工藝的特點包括()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
芯片粘接的工藝過程包括()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
金屬化中可選用的金屬材料有()。