1、時間與溫度，恒定表面源主要是時間。 2、硅晶體中存在其他類型的點缺陷
1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層
1、整形處理：去掉兩端，檢查電阻確定單晶硅達到合適的摻雜均勻度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蝕 5、化學機械拋光
縮寫中文含義 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
最新試題
CMP的設備構成包括（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
光刻工藝的設備核心是（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
新的平坦化方法有哪幾個？（）
