CMP的設備構成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。