說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。