在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設置在（）

敘述測試晶體管的方法？

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應用于（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）