以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

影響顯影工藝的因素有（）。

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。