利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）