單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
A.掩膜版
B.對(duì)準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠
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1.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
A.堿溶液清洗
B.有機(jī)溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
2.多項(xiàng)選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
3.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。
A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
4.多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
5.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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