硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。