有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

光生伏特效應(yīng)

猝滅劑

磁滯回線

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

XPS只能檢測(cè)元素種類，無法標(biāo)定元素含量。