判斷題AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
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3.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
4.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題