半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

磁滯回線

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。