半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

光生伏特效應(yīng)

猝滅劑

非本征光電導(dǎo)

磁滯回線

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。