平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

猝滅劑

光電導(dǎo)效應(yīng)

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

磁滯回線

光生伏特效應(yīng)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級