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判斷題硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

1.判斷題半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

2.判斷題PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

3.判斷題半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

4.判斷題AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

5.單項選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是