判斷題TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。
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2.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
3.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
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MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。
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等離子體
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通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
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TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。
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半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
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陰極射線致發(fā)光
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PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
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