猝滅劑

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

本征光電導(dǎo)

激活劑

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。