等離子體

本征吸收

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

猝滅劑

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

磁滯回線

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

本征光電導(dǎo)