在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

本征吸收

MOSFET開關的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導電溝道的通斷。

敏化劑

XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。

半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質沉積的干擾。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

猝滅劑

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。