有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

光生伏特效應(yīng)

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

猝滅劑

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

激活劑

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。