問(wèn)答題IIL串行測(cè)試方法。
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1.問(wèn)答題VOH/IOH靜態(tài)測(cè)試方法。
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3.問(wèn)答題Open-short功能測(cè)試優(yōu)缺點(diǎn)。
5.名詞解釋Silterra
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光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
提高光刻最小線(xiàn)寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
通常利用TEM觀(guān)測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
等離子體
題型：名詞解釋
本征吸收
題型：名詞解釋
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般說(shuō)的14nm工藝線(xiàn)指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光電導(dǎo)效應(yīng)
題型：名詞解釋
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題