MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

本征吸收

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

陰極射線致發(fā)光

光生伏特效應(yīng)

激活劑

光電導(dǎo)效應(yīng)