半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

光電導(dǎo)效應(yīng)

當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

非本征光電導(dǎo)

XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。

陰極射線致發(fā)光

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

內(nèi)光電效應(yīng)

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）