提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

非本征光電導(dǎo)

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。

光生伏特效應(yīng)

一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

陰極射線致發(fā)光