單項(xiàng)選擇題為了保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作,27.5A的接地電流只能保證斷開(kāi)動(dòng)作電流不超過(guò)多少的繼電保護(hù)裝置。()
A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A
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1.單項(xiàng)選擇題通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()。
A.1~1.8倍
B.1.3~1.8倍
C.1.3~2.1倍
D.1.5~2.3倍
2.單項(xiàng)選擇題有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()。
A.離子注入
B.刻蝕
C.擴(kuò)散
D.光刻
3.多項(xiàng)選擇題空氣污染物按照處理性質(zhì)來(lái)分:有()。
A.酸堿性氣體
B.有機(jī)性氣體
C.特殊毒性氣體
D.水蒸汽
E.中性氣體
4.多項(xiàng)選擇題凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類,分別是()。
A.一般排氣系統(tǒng)
B.特殊排氣系統(tǒng)
C.制程排氣系統(tǒng)
D.專用排氣系統(tǒng)
E.排氣排水系統(tǒng)
5.多項(xiàng)選擇題靜電釋放帶來(lái)的問(wèn)題有哪些()。
A.金屬電遷移
B.金屬尖刺現(xiàn)象
C.芯片產(chǎn)生超過(guò)1A的峰值電流
D.柵氧化層擊穿
E.吸引帶電顆?;驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面
最新試題
通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理?
題型:?jiǎn)柎痤}
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見(jiàn)的濺射方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理?為什么要加隔離點(diǎn)?
題型:?jiǎn)柎痤}
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題