單項(xiàng)選擇題靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為（）。
A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM
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1.單項(xiàng)選擇題危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是（）。
A.2族金屬
B.堿金屬
C.合金金屬
D.稀有金屬
2.單項(xiàng)選擇題懸浮在空氣中的顆粒稱為（）。
A.懸浮物
B.塵埃
C.污染顆粒
D.浮質(zhì)
3.單項(xiàng)選擇題沾污引起的電學(xué)缺陷引起（），硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制造成本。
A.不會(huì)影響成品率
B.晶圓缺陷
C.成品率損失
D.晶圓損失
4.多項(xiàng)選擇題沾污是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.電學(xué)性能
E.外觀
5.多項(xiàng)選擇題凈化室將硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如（）的沾污。
A.顆粒
B.金屬
C.有機(jī)分子
D.靜電釋放（ESD）
E.水
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}