單項選擇題沾污引起的電學缺陷引起（），硅片上的管芯報廢以及很高的芯片制造成本。
A.不會影響成品率
B.晶圓缺陷
C.成品率損失
D.晶圓損失
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1.多項選擇題沾污是指半導體制造過程中引入半導體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.電學性能
E.外觀
2.多項選擇題凈化室將硅片制造設備與外部環(huán)境隔離，免受諸如（）的沾污。
A.顆粒
B.金屬
C.有機分子
D.靜電釋放（ESD）
E.水
3.多項選擇題樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于（）度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。
A.80
B.60
C.40
D.20
E.10
4.單項選擇題我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈（）性。
A.酸
B.堿
C.弱酸
D.弱堿
5.單項選擇題買來的新樹脂往往是Na型或Cl型，新樹脂使用前必須分別用酸（陽樹脂），堿（陰樹脂）浸泡約（）個小時，把Na型或Cl型轉(zhuǎn)換成H型或OH型。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。
題型：單項選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設備是（）
題型：單項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題