單項選擇題物理氣相沉積簡稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
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1.多項選擇題薄膜沉積的機構(gòu)包括那些步驟（）。
A.形成晶核
B.晶粒成長
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補
E.沉積膜成長
2.多項選擇題晶片表面上的粒子是通過（）到達晶片的表面。
A.粒子擴散
B.從氣體源通過強迫性的對流傳送
C.化學反應
D.被表面吸附
E.靜電吸引
3.單項選擇題薄膜沉積的機構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個步驟。其中不包括（）。
A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補
4.單項選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達晶片表面的。
A.粒子的擴散
B.化學反應
C.從氣體源通過強迫性的對流傳送
D.被表面吸附
5.單項選擇題決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團，以便于進行凝結(jié)的主要因素主宰于所形成的核團是否（）而定。
A.動能最低
B.穩(wěn)定
C.運動
D.靜止
最新試題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題