單項選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達(dá)晶片表面的。
A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對流傳送
D.被表面吸附
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1.單項選擇題決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團(tuán)，以便于進(jìn)行凝結(jié)的主要因素主宰于所形成的核團(tuán)是否（）而定。
A.動能最低
B.穩(wěn)定
C.運(yùn)動
D.靜止
2.單項選擇題（）是因為吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并結(jié)合所形成的。
A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核團(tuán)
3.單項選擇題（）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進(jìn)行薄膜沉積的。
A.PVD
B.CVD
C.濺射
D.蒸發(fā)
4.單項選擇題化學(xué)氣相沉積的英文名稱的縮寫為（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
5.多項選擇題（）專指薄膜形成的過程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。
A.薄膜成長
B.蒸發(fā)
C.薄膜沉積
D.濺射
E.以上都正確
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刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題