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單項選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進行，而必須施以（）。

A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕

1.單項選擇題濺鍍法，因為其階梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。

A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯

2.單項選擇題不可以對SiO₂進行干法刻蝕所使用的氣體是（）。

A.CHF₃
B.C₂F₆
C.C₃F₈
D.HF

3.單項選擇題大硅片上生長的（）的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔

4.單項選擇題刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度，并計算這些點的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案

5.多項選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)