單項(xiàng)選擇題濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯
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1.單項(xiàng)選擇題不可以對SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
2.單項(xiàng)選擇題大硅片上生長的（）的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
4.多項(xiàng)選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)
5.單項(xiàng)選擇題（）是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間
最新試題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項(xiàng)選擇題